کاشت یونی

کاشت یونیدر بسیاری از مراحل ساخت، باید آلاینده‌ها (همان ناخالصی‌هایی که به دلیل تغییر خواص نیمه‌رسانا به آن اضافه می‌کنیم) به طور انتخابی وارد ویفر شوند. برای مثال، بعد از تکمیل زنجیره‌ لیتوگرافی در شکل (1)، چاه n با افزودن آلاینده به ناحیه‌ی بدون پوشش تشکیل می‌شود. به طور مشابه نواحی سورس و درین ترانزیستورها نیز ...

اکسیداسیون

اکسیداسیونویژگی منحصر به فرد سیلیکون آن است که به ما امکان می‌دهد تا یک لایه‌ی بسیار یکنواخت اکسید روی سطح آن ایجاد کنیم تا بتوان لایه‌های اکسید گیت را با ضخامت چند ده انگستروم (فقط چند لایه‌ی اتمی) با آن ساخت. این ویژگی سیلیکون به علت آن است که اکسید سیلیکون هنگامی که ساخته می‌شود دارای نقص بلوری کمی است. ...

فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت سوم

فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت سوم شرکت در آزمون اکسیداسیون یکی از مراحل ساخت مدارهای مجتمع است که این امکان را به ما می دهد تا بتوانیم روی پایه ی سیلیسیوم، گیت را بنا کنیم. در بسیاری از مراحل ساخت مدار مجتمع، باید آلاینده‌ها به طور انتخابی وارد ویفر شوند. رایج‌ترین روش افزودن آلاینده روش «کاشت یونی» است که به ...

یک آزمایش ساده

یک آزمایش سادهمواد و وسایل مورد نیازیک کاغذ سفید A4 یا یک قطعه پارچه‌ی سفید تقریبا در همین ابعاد، یک بخاری روشن، مقداری فویل آلومینیومی، یک عدد قیچی.شرح آزمایشابتدا شعله‌ی بخاری را کم کنید، سپس کاغذ سفید یا پارچه‌ی سفید را بر روی بخاری قرار دهید. به گونه‌ای که شیارهای روی بخاری را بپوشاند. مراقب باشید که کاغذ یا پارچه آتش ...

گام دوم: لیتوگرافی نوری

گام دوم: لیتوگرافی نوریلیتوگرافی نوری اولین قدم درانتقال اطلاعات مربوط به الگوی مدار بر روی ویفر است. همان‌طور که در نمای بالایی در شکل (1)‌ می‌بینید،‌ ترانزیستور شامل چند ضلعی‌هایی است که نمایان‌گر لایه‌های مختلف هستند نظیر چاهn، نواحی سورس و درین، پلی‌زسیلیکون، اتصالات و لایه‌های فلزی.شکل 1. نمای یک بالایی و ...

فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت دوم

فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت دوم شرکت در آزمون لیتوگرافی نوری یا به اختصار لیتوگرافی،‌ فرآیندی شبیه عکاسی است. در این فرآیند، نور یا پرتوهای الکترومغناطیس دیگر نظیر پرتوری فرابنفش (UV) با عبور از یک الگو یا ماسک، به سطح ویفری برخورد می‌کند و بدین ترتیب الگویی را که بر روی ماسک طراحی شده به سطح ویفر منتقل می‌کند. ...

گام اول:‌ پردازش ویفر

گام اول:‌ پردازش ویفردر فناوری CMOS، ویفر اولیه باید با کیفیت بسیار بالایی تولید شود. به این منظور، سیلیسیوم یا همان سیلیکون، به صورت جامد بلورین رشد داده می‌‌شود. بلور باید به گونه‌ای رشد یابد که دارای کمترین نقص بلوری باشد و نیز از درجه‌ی خلوص بسیار بالایی نیز برخوردار باشد. یعنی اتم‌های ناخالصی در آن بسیار کم باشد. ...

ملاحظات کلی فرآیند ساخت

ملاحظات کلی فرآیند ساختقبل از آن که به صورت جزئی و دقیق،‌ فرآیند ساخت مدارهای مجتمع را بررسی کنیم، خوب است که ساختمان ساده‌ی ترانزیستورهای NMOS و PMOS را در نظر بگیریم و گام‌های لازم برای ساخت را پیش‌بینی کنیم. در شکل (1) نمای کناری و بالایی یک ترانزیستور NMOS و یک ترانزیستور PMOS نشان داده شده است.قبل از آن که به صورت جزئی و ...

ملاحظات کلی فرآیند ساخت

فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت اول

فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت اول شرکت در آزمون مدار مجتمع (IC)،‌ یک مدار الکترونیکی است که حداقل از ده‌ها ترانزیستور تشکیل شده است. این نوع مدار ها از ترکیب ترانزیستور های PMOS و NMOS تشکیل شده اند که به اختصار فناوری ساخت آنها را CMOS می گویند. فناوری‌های پیشرفته‌ی ساخت CMOS دارای بیش از 200 مرحله است، اما برای منظور ما،‌ ...

چقدر کوچک‌تر؟!

چقدر کوچک‌تر؟!ابعاد ترانزیستور را معمولا با طول کانال ترانزیستور، یعنی فاصله‌ی بین سورس و درین مشخص می‌کنند (اگر این مفاهیم را یادتان رفته، به مقاله‌ی «آشنایی با ساختار و نحوه‌ی عملکرد ترانزیستور» مراجعه کنید). طول کانال ترانزیستور تا چند سال پیش حدود 0/25 میکرومتر بود. این طول سپس به 0/18 میکرومتر و پس از آن به 90 ...

چرا ترانزیستورِ کوچک‌تر؟!

چرا ترانزیستورِ کوچک‌تر؟!گفتیم مور پیش‌بینی کرد که تعداد ترانزیستورهای مدارهای مجتمع هر دو سال تقریبا دو برابر می‌شود. البته این قانون مور را می‌توان به گونه‌ای دیگر نیز بیان کرد؛ در این بیان جدید هر دو سال ابعاد ترانزیستورهای موجود در مدارهای الکترونیکی تقریبا نصف می‌شود. اما به نظر شما چرا سازندگان مدارهای مجتمع ...

قانون مور

قانون موربه تصویر(1) نگاه کنید. در این تصویر نموداری آمده که در آن، تعداد ترانزیستورهای واحد پردازشگر مرکزی رایانه بر محور عمودی و سال تولید آن بر محور افقی نشان داده شده است. پیش‌بینی مور با یک خط‌چین مورب رسم شده و اعداد واقعی با نقطه نمایش داده شده‌اند. بدین ترتیب می‌توان ملاحظه کرد که پیش‌بینی قانون مور تا چه اندازه ...

ترانزیستورها کوچک و کوچک‌تر می‌شوند

ترانزیستورها کوچک و کوچک‌تر می‌شوند شرکت در آزمون مور پیش‌بینی کرد که تعداد ترانزیستورهای مدارهای مجتمع هر دو سال تقریبا دو برابر می‌شود. نوع دیگر بیان قانون مور این است که هر دو سال تقریبا ابعاد ترانزیستور های موجود در مدارهای الکترونیکی نصف می شود.هر چه تعداد ترانزیستورها در مدارهای مجتمع بیشتر شود، اندازه ...

ساختار و عملکرد یک جمع‌کننده

ساختار و عملکرد یک جمع‌کنندهخُب همان طور که قول داده بودیم اکنون که با عملکرد گیت‌های پایه آشنا شدیم، می‌خواهیم درباره‌ی یکی از اصلی‌ترین واحدهای پردازش، یعنی جمع‌کننده، صحبت کنیم. جمع‌کننده یک واحد پردازش اصلی است که در پردازشگر مرکزی همه‌ی رایانه‌ها به صورت فراوان مورد استفاده قرار می‌گیرد. البته ...

فيزيك حالت جامد بزرگترین مرجع مقالات و مطالب رایگان

آمار بازدید

نانوالکترونیک

تمام حقوق مادی و معنوی این وب سایت متعلق به "" می باشد