اتصالات میانی فلزی

اتصالات میانی فلزیدر فناوری امروزی، اتصالات میانی معمولا از فلز مس (Cu) ساخته می‌شود. طول این اتصالات در یک مدار مجتمع به دلیل زیاد بودن تعداد ترانزیستورها، به کیلومترها می‌رسد! در گذشته اتصالات میانی را از فلز آلومینیوم (Al) می‌ساختند اما آلومینیوم در فناوری‌های امروزی در دمای بالای فرآیند ساخت، ذوب می‌شود. بنابراین ...

اتصالات میانی مدارهای مجتمع، چالشی دیگر برای نانو الکترونیک!

اتصالات میانی مدارهای مجتمع، چالشی دیگر برای نانو الکترونیک! شرکت در آزمون در اولین نسل‌های مدارهای مجتمع به دلیل بزرگی ابعاد ترانزیستورها و تبعا تعداد کم ترانزیستورها در مدار مجتمع، اتصالات میانی از پیچیدگی بسیاری برخوردار نبودند. اما به تدریج با کوچک‌تر شدن ابعاد ترانزیستورها و افزایش تعداد آن‌ها در مدارهای ...

چالش‌هایCNTFET ها

چالش‌هایCNTFET هابا وجود توسعه و گسترش پژوهش‌ها درباره‌ی ترانزیستورهای نانو لوله‌ی کربنی، چالش‌های بسیاری فرا روی پژوهشگران الکترونیک به منظور جایگزینی ترانزیستورهای سیلیسیومی با این نانو ترانزیستورها وجود دارد. اولا هزینه‌ی ساخت نانو لوله‌های کربنی گران است و تولید آن در مقیاس زیاد هم به فناوری پیشرفته و هم به ...

جایگزینی نانو ترانزیستورها با ...؟

جایگزینی نانو ترانزیستورها با ...؟با وجود مشکلات و مسائلی که بیان شد، پژوهشگران به دنبال یافتن جایگزینی برای ابزارها و ترانزیستورهای سیلیکونی با ابعاد کوچک‌تر هستند. یک گام اساسی در انجام کوچک سازی مدارهای الکترونیکی، استفاده از مولکول‌های منفرد در ابزارهای الکترونیکی است. بدین منظور بررسی خواص الکترونیکی نانو لوله‌های ...

چالش‌های نانو ترانزیستورها

چالش‌های نانو ترانزیستورهاهمان طور که در مقاله‌ی قبل بیان کردیم با کوچک شدن ابعاد ترانزیستورهای سیلیکونی، مسئله‌ی نقص بلوری به یک چالش جدی تبدیل می‌شود. هم‌چنین با افزایش چگالی بار الکتریکی، ظهور پدیده‌های کوانتومی هم‌چون تخلیه‌ی بار الکتریکی و تونل‌زنی الکترونی و در نتیجه ایجاد جریان‌‌های مخرب و نشتی ...

نانو لوله‌های کربنی، پاسخی برای چالش‌های نانو الکترونیک؟!

نانو لوله‌های کربنی، پاسخی برای چالش‌های نانو الکترونیک؟! شرکت در آزمون مقدمهرشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو (ابعاد زیر 100 نانو متر)، همراه با مزایا و شگفتی‌های دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش‌ها و پرسش‌های فراوانی را نیز فرا روی متخصصین الکترونیک و ...

ظهور آثار کوانتومی

ظهور آثار کوانتومیبا کوچک شدن ابعاد ترانزیستور و ورود به محدوده‌ی زیر 100 نانومتر، رفتار تک تک اتم‌ها به تدریج قابل توجه و مهم می‌شود. با توجه به ابعاد اتم سیلیسیوم که حدود 46/1 آنگستروم (146/0 نانومتر ) است و با در نظر گرفتن فاصله‌ی پیوندهای بین اتمی به این نتیجه می‌رسیم که هنگامی که در ابعاد زیر 100 نانومتر قرار داریم، تنها با ...

رفتار اتم‌ها در ابعاد کوچک

رفتار اتم‌ها در ابعاد کوچکمطالعه راجع به چگونگی ساختار اتم پیشینه‌ی طولانی دارد. اما می‌توان گفت تامسون اولین فردی بود که یک نظریه‌ی علمی راجع به ساختار اتم مطرح کرد. پس از او افراد دیگری با رفع اشکالات و تکمیل نواقص نظریه‌ی او دانش ما را راجع به ساختار اتم گسترده‌تر کردند. بور و رادرفورد دو نفر از این افراد هستند که ...

نانوالکترونیک و چالش‌های کوانتومی

نانوالکترونیک و چالش‌های کوانتومی شرکت در آزمون یکی از چالش های پیش رو در بحث کوچک کردن ابعاد ترانزیستور ها ، تغییر رفتار اتم ها در ابعاد کوچک است که این چالش ها را چالش های کوانتومی می گوییم. کم شدن تعداد اتم‌های سیلیسیوم در ترانزیستور موجب می‌شود که مسئله‌ی نقص بلوری به یک چالش جدی تبدیل شود. یکی دیگر از چالش های پیش ...

نانو لیتوگرافی نوری

نانو لیتوگرافی نوریهمان‌طور که بیان کردیم، برای ساخت ترانزیستورهای کوچک‌تر باید از ماسک‌های کوچک‌تر هم استفاده شود. اما مشکل اصلی این بود که هنگامی که پرتوهای نور از روزنه‌های این ماسک‌ها عبور می‌کردند تا به ویفر سیلیکونی برخورد کنند و ناحیه‌ی مورد نظر ترانزیستور را بسازند، رفتار موجی نور به شدت ظاهر می‌شد ...

رفتار موجی نور

رفتار موجی نورهمان‌طور که می‌دانید امروزه دانشمندان معتقدند ماهیت نور از نوع امواج الکترومغناطیس است که دارای طیف وسیعی است که از پرتوهای رادیویی با سطح انرژی کم و طول موج زیاد شروع می‌شود و به پرتوهای گاما با سطح انرژی زیاد و طول موج کم می‌انجامد. نور مرئی بخش کوچکی از طیف امواج الکترومغناطیس را در بر می‌گیرد. در ...

چالش اصلی

چالش اصلیهمان‌طور که در مقالات ساخت مدار مجتمع (مقالات هشتم تا دهم نانوالکترونیک) ملاحظه شد، شگرد اصلی در ساخت مدارهای الکترونیکی استفاده از روش لیتوگرافی نوری است. در واقع علت رشد سریع صنعت الکترونیک نیز همین شیوه‌ی ساده، اما بسیار پرکاربرد بود که امکان ساخت تعداد بی‌شماری ترانزیستور را در مدت زمان کم، ممکن ...

چالش‌های فناوری نانو برای ساخت مدارهای مجتمع

چالش‌های فناوری نانو برای ساخت مدارهای مجتمع شرکت در آزمون مور بیان می کند که ابعاد ترانزیستورها هر دو سال یکبار تقریبا نصف می شود. حال اینکه چرا هر دو سال یکبار ابعاد نصف می شود بدلیل چالش هایی است که با ورود به ابعاد کوچک با آنها مواجه می شویم. یکی از این چالش ها تغییر رفتار نور در ابعاد کوچک است چون شگرد اصلی ساخت مدار، ...

فرآیندهای انتهایی

فرآیندهای انتهاییهمین که ترانزیستورهای پایه ساخته شدند، ویفرها باید بعد از آن یک فرآیند انتهایی بگذرانند. زنجیره‌ای که عمدتا ارتباطات الکتریکی مختلف روی تراشه را از طریق سیم و اتصال فلزی برقرار می‌کند.یکی از این فرآیندهای نهایی، ایجاد اتصال روی پلی‌سیلیکون و نواحی فعال (منظور سورس، درین و نواحی n+ و P+ است) می‌باشد. این ...

لایه نشانی و زُدایش

لایه نشانی و زُدایشهمان طور که از ساختار ترانزیستورها و مدار مجتمع نتیجه می‌شود، ساخت مدار مجتمع نیاز به نشاندن مواد مختلفی نظیر پلی‌سیلیکون دارد. یک روش رایج برای تشکیل پلی‌سیلیکون روی لایه‌های ضخیم عایق، روش لایه‌نشانی با بخار شیمیایی (CVD) است، که در آن ویفرها در یک کوره شامل گازی که مواد مطلوب را از طریق واکنش ...

فيزيك حالت جامد بزرگترین مرجع مقالات و مطالب رایگان

آمار بازدید

نانوالکترونیک

تمام حقوق مادی و معنوی این وب سایت متعلق به "" می باشد