ساختار و عملکرد یک جمع‌کننده الکترونیکی

ساختار و عملکرد یک جمع‌کننده الکترونیکی شرکت در آزمون می دانیم که به مجموعه ای از ترانزیستورها یک گیت می گویند. گیت XOR گیتی است که حداقل دو پایه دارد و در صورتی خروجی آن دارای ولتاژ بالا است که به تعداد فردی از ورودی های آن ولتاژ بالا اعمال گردد. جمع‌کننده یک واحد پردازش اصلی است که در پردازشگر مرکزی همه‌ی رایانه‌ها به ...

نمادهای مداری

نمادهای مداریدر مدارهای بزرگتر به منظور پرهیز از پیچیدگی، برای هرکدام از گیت‌های مذکور نمادهای استانداردی را در نظر می‌گیریم. این نمادها را در تصویر 4 مشاهده می‌کنیم. تصویر4- نمادهای مداری گیت‌های NOT, OR, AND ما در این مقاله مختصری از نقش ترانزیستور در الکترونیک بیان کردیم. اکنون که با گیت‌های ابتدایی آشنایی ...

ساختار ترانزیستوری چند گیت مهم

ساختار ترانزیستوری چند گیت مهماز اتصال چند ترانزیستور به یکدیگر، قطعه ای حاصل می‌شود که آن را گیت (Gate) می‌نامیم. ساده‌ترین گیت در الکترونیک، گیت معکوس‌کننده یا NOT است که ساختار آن را در تصویر1 مشاهده می‌کنیم. تصویر1- ساختار ترانزیستوری گیت NOT همان طور که می‌بینید، گیتِ NOT از دو ترانزیستور تشکیل شده است. ...

رایانه‌های دیجیتال و نقش ترانزیستور

رایانه‌های دیجیتال و نقش ترانزیستورهیچ کس نمی‌تواند مُنکر نقش ابداع رایانه در پیشرفت و توسعه‌ی دانش و فناوری جدید شود. همان طور که می‌دانیم رایانه یک سیستم دیجیتال است. یعنی اطلاعات را به صورت رقمی دریافت می‌کند، تجزیه و تحلیل می‌کند و نگهداری می‌کند. ما در زندگی روزمره با اعداد در مبنای 10 بیشتر سر و کار داریم، اما ...

ساختار ترانزیستوری چند گیت مهم

ساختار ترانزیستوری چند گیت مهم شرکت در آزمون از اتصال چند ترانزیستور به یکدیگر قطعه ای حاصل می شود که آن را گیت می نامند. هر گیت بسته به نوع طراحی و قطعات به کار رفته در آن، کاربرد خاصی دارد. رایانه برای ذخیره داده ها و تجزیه و تحلیل آنها از اعداد در مبنای دو استفاده می کند. علت آن این است که گیت های حافظه و پردازش رایانه از ...

ترانزیستور MOS به عنوان کلید

ترانزیستور MOS به عنوان کلیدهمان طور که گفتیم پدیده‌ی روشن شدن ترانزیستور NMOS و PMOS یک پدیده‌ی تدریجی است. در ترانزیستور NMOS اگر ولتاژ گیت بالا باشد، سورس و درین به یکدیگر متصل هستند و اگر ولتاژ گیت پایین باشد، سورس و درین از یکدیگر جدا هستند. این پدیده مشابه عملکرد یک کلید است. همان‌گونه که اگر کلید را در یک جهت فشار دهیم، لامپ ...

عملکرد ترانزیستور PMOS

عملکرد ترانزیستور PMOS و پدیده‌ی روشن شدن در آن مشابه ترانزیستور NMOS است، با این تفاوت که همه‌ی ولتاژها معکوس می‌شود. همان‌طور که در تصویر6 مشاهده می‌کنیم، اگر ولتاژ گیت به اندازه‌ی کافی منفی شود، لایه‌ا‌ی وارون حالت قبل (تصویر 5) در زیر لایه‌ی اکسید تشکیل می‌شود. این لایه که شامل حامل‌های بار الکتریکی از نوع ...

عملکرد ترانزیستور MOS

عملکرد ترانزیستور MOSدر این بخش نیز ابتدا عملکرد ترانزیستور NMOS را شرح می‌دهیم. و سپس به‌طور مشابه عملکرد ترانزیستور PMOS را از روی آن شرح خواهیم داد. بسیار خوب، یک ترانزیستور NMOS را در نظر می‌گیریم که مطابق تصویر3 به منبع ولتاژ متصل شده است (گیت را به پتانسیل مثبت متصل می‌کنیم. همچنین درین را به پتانسیل مثبت و سورس را به زمین ...

ساختار ترانزیستور MOS

ساختار ترانزیستور MOSترانزیستور MOS دارای دو نوع گوناگون است. یکی NMOS و دیگری PMOS نام دارد. در ترانزیستور NMOS الکترون‌های آزاد حامل بار الکتریکی هستند و در ترانزیستور PMOS حفره‌های آزاد حامل بار الکتریکی می‌باشند. ابتدا ساختار ترانزیستور NMOS را شرح می‌دهیم. سپس با استفاده از تشابهاتِ موجود، ساختار ترانزیستور PMOS را نیز بیان ...

آشنایی با ساختار و عملکرد ترانزیستورها

آشنایی با ساختار و عملکرد ترانزیستورها شرکت در آزمون ترانزیستور دارای انواع گوناگونی است که مهم‌ترین آن BJT و MOSFET نام دارد. ترانزیستور MOS (ترانزیستور MOSFET را به اختصار MOS می گوییم .) دارای دو نوع گوناگون است. یکی NMOS و دیگری PMOS نام دارد. در ترانزیستور NMOS الکترون‌های آزاد حامل بار الکتریکی هستند و در ترانزیستور PMOS حفره‌های ...

یک ماجرای جالب

یک ماجرای جالب...لطفا وارد نشوید!اگر یک نیمه رسانای نوع n را به یک نیمه¬ رسانای نوع p متصل کنیم، قطعه ای حاصل می شود که آن را پیوند p-n می گوییم. پیوند p-n ویژگی جالب توجهی دارد که شنیدن آن خالی از لطف نیست.همانگونه که می دانیم حامل های اکثریت در نیمه رسانای نوع n از جنس الکترون های آزاد و در نیمه رسانای نوع p از جنس حفره های آزاد هستند. در ...

دیود چیست و چگونه کار می کنند؟

دیود چیست و چگونه کار می کنند؟ شرکت در آزمون در اثر اتصال یک نیمه رسانای نوع n به یک نیمه رسانای نوع p قطعه ای به نام پیوند p-n (دیود) حاصل می شود. بر اثر این اتصال کمی الکترون از بخش n به بخش p آمده و کمی هم حفره از بخش p به بخش n آمده و باعث می شود یک میدان الکتریکی درون این قطعه حاصل شود. حال که این قطعه در مدار قرار می گیرد اگر میدان ...

آلایش نیمه‌رسانا

آلایش نیمه‌رسانانیمه‌رسانایی را که ناخالصی نداشته باشد، نیمه‌رسانای ذاتی می‌گوییم. در نیمه‌رسانای ذاتی تعداد الکترون‌های موجود در نوار رسانش با تعداد حفره‌های موجود در نوار ظرفیت با هم برابرند.همان‌طور که متوجه شدیم با افزایش دما می‌توان تعداد حاملان بار الکتریکی و در نتیجه رسانایی الکتریکی را در مواد ...

برخی ویژگی های نیمه رساناها

برخی ویژگی های نیمه رساناهایکی از ویژگی‌های جالب مواد نیمه‌رسانا، که آنها را از مواد رسانا متمایز می‌کند، چگونگی تغییر مقاومت ویژه‌ی الکتریکی آنها با تغییرات دما است. همانطور که می‌دانیم افزایش دما موجب افزایش مقاومت ویژه‌ی الکتریکی مواد رسانا می‌شود. علت این پدیده نیز افزایش تعداد و شدت برخورد الکترون‌های ...

مواد نیمه رسانا، انواع و ویژگی ها

مواد نیمه رسانا، انواع و ویژگی ها شرکت در آزمون یکی از ویژگی‌های جالب مواد نیمه‌رسانا، که آنها را از مواد رسانا متمایز می‌کند، چگونگی تغییر مقاومت ویژه‌ی الکتریکی آنها با تغییرات دما است. برخلاف رسانا، در نیمه رسانا افزایش دما موجب کاهش مقاومت ویژه‌ی الکتریکیِ نیمه‌رسانا می‌شود. آزمایش ها نشان می دهد ذراتی ...

فيزيك حالت جامد بزرگترین مرجع مقالات و مطالب رایگان

آمار بازدید

نانوالکترونیک

تمام حقوق مادی و معنوی این وب سایت متعلق به "" می باشد